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第181章 救星来了!(1 / 2)


临安,苏省大学微电子学院。

“通入六甲基二硅胺烷……”

“硅片脱水完成,增粘处理完成,开始旋转涂胶。”

“……”

这已经是他们不知道进行了多少次的实验流程了,除了操作员时不时进行流程汇报之外,实验内悄然无声。

数十名研发人员都静静地坚守着自己的岗位,偶尔抬头看一眼设备运行情况,以及站在操控台中间的那位老人。

“涂胶检测完毕,未发现气泡,开始曝光前烘……前烘完毕,光刻机准备曝光……”

在实验有条不紊的推进中,终于到了曝光环节。

每次进入曝光环节,那短短的十秒钟,都让吴利鸿感觉像一个世纪那么长……

而在曝光的过程中,加装在工件台的的测量仪器也在同时进行疯狂的数据收集。

“曝光结束,进入后烘环节,曝光数据正在分析中……”

“曝光过程总产气量……”汇报结果的研究员停顿了一下,然后用颤抖的语气念出了数值,“289立方纳米!”

哗——!

听到这个结果,整個实验室都顿时安静了下来,随后便是阵阵惊呼声。

“竟然真是光致产酸剂BR-侧键的问题!”

“吴院士牛逼啊!”

“……”

虽然后烘的具体数据还没出来,但光是这个产气量的数据,就已经称得上是史无前例的重大突破了!

涂满12寸的硅片光刻胶,在曝光的过程中,才产出了仅仅289立方纳米的气体,

而这么小的产气量,光刻胶的曝光边缘肯定非常光滑平整。

这就意味着更高的清晰度,以及更低的制程。

可以说,他们已经彻底解决了光刻胶最棘手的产气量问题!

吴利鸿听到这个数据后,脸上也不禁浮现起了一抹如释重负的笑容,但这却让他的脸上的皱纹褶子更多了……

过了大约十分钟,曝光后的硅片也已经完成了后烘,并对曝光部分的光刻胶进行了溶解清除,然后又进行了一次坚膜烘焙,加固光刻胶形成的电路保护膜。

接下来,就是他们这个实验环节最重要的电路图像清晰度分析了。

而最终的分析结果也果然不出他们所料,在降低了98%的产气量后,他们得到的电路保护膜,表面非常光滑平整,没有出现任何坍塌变形!

“膜厚正常,套刻精度正常!”

听到这个结果,所有人顿时都激动的看着吴利鸿。

事实上实验进行到了这一步,已经基本可以肯定他们的EUV光刻胶,已经达到了13.5纳米的制程标准。

因为他们苏省微电子的所有精力,都用来研发光刻胶了,对多重曝光等压缩制程的工艺,没有太多的研究,所以13.5纳米只是他们研究所的最小制程工艺。

而这款光刻胶具体的最小制程,得找申城硅产业或者立昂微来做进一步的验证,尤其是最早拿到EUV光刻机的申城硅产业,经过这几个月的摸索调试,他们已经把制程工艺推到了5nm。

不过为了稳妥起见,吴利鸿还是按捺住激动的心情,对大家开口道:“立即准备蚀刻实验验证,确认最后的环节没问题再送到申城硅产业去。”

“明白!”

研究员们听到后,顿时又开始忙碌了起来。

本来按照他们之前的实验流程,实验到了这一步基本就是失败了,这次其实根本就没有做好进入蚀刻环节的准备。

但面对这个意想不到的巨大惊喜,大家却没有一丝‘临时加班’的怨言,一个个都吭哧吭哧地开始重新准备实验。

两个小时后,最终结果终于出炉了。

他们研发的光刻胶,成功地经受干法刻蚀中高能粒子的洗礼,顺利完成了保护硅片基底的任务,芯片良品率高达98%!

在吴利鸿院士的带领下,苏省大学微电子研究员,终于成功研发出了一款能胜任13.5nm制程的国产顶级EUV光刻胶!

而且这个13.5纳米制程,只是目前的初步实验结论。

从他们这次得到的套刻精度来看,这款光刻胶实际上有相当大的可能,可以胜任5纳米制程芯片的制造!

吴利鸿也非常沉得住气,没有选择立即将实验结果上报上去,而是让研究员们按照上次的配方,重新调配了一批光刻胶。

然后重复做了足足十次实验,确认每次的结果误差都在可接受的范围内后,才带着光刻胶和团队的主要技术人员飞往魔都,来到了申城硅产业集团。

此时的申城硅产业的集团总裁陈云明恰好在和华威的余总和何总,讨论华威P6的芯片代工问题。

而双方讨论的要点,就是产量和成本的问题。

华威本着量大从优的道理,想要直接订购两千万枚麒零9000。

但申城硅产业现在,其实也就只有一台秦光一号。

按照秦光一号每小时180片的硅片吞吐量,以及制造出的每片晶圆可以切割出500枚芯片来算,一台光刻机每天的产能应该有216万枚。

但实际上,光刻机的吞吐量不代表


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